这次，我将分享关于STM32内部闪光灯的笔记。

STM32芯片内部的闪存主要用于存储我们的代码。如果内部闪存存储了代码，还有剩馀的空间，则可以使用剩馀的空间来存储需要断电的数据。

本文以STM32103ZET6为例。STM32103ZET6是高容量产品，闪存模块包括：

的默认存储大小为512KB，分为256页，每页大小为2KB。我们的程序一般在0页的起始地址(0x08000000)默认燃烧。当BOOT0针脚和BOOT1针脚都接触到GND时，此地址开始执行代码。这个地址可以在keil上看到。

如果要下载的程序大小为4.05KB，则0、1和2页用于保存程序。需要断电的数据只能保存3页到255页。最后要下载的程序大小与项目相对应。可以在map文件中查看。map大象可以通过双击项目的文件名快速打开。例如：

以下是对STM32内部闪存的简单读写测试。

STM32内部闪存读写测试

流程图如下(省略例外，只考虑成功):

范例程式码：

本示例的核心代码如下：

(1)执行解锁操作

STM32的闪存编程由包含以下寄存器的集成闪存编程/删除控制器(FPEC)管理：

STM32重设后，FPEC模组受到保护，无法写入FLASH_CR登录。通过在FLASH_KEYR寄存器中写入特定序列，可以打开FPEC模块(例如，写入键1和键2)。只有在禁用写保护后，才能操作相关寄存器。固件库中的函数包括：

void FLASH _ Unlock(void)；删除要写的页面

STM32中的FLASH还必须清除在编程时记录地址的FLASH。也就是说，值必须为0XFFFF。否则不能用。FLASH_SR登录的PGERR位元会显示警告。STM32的闪存删除分为两种类型：页面删除和全部删除。也就是说，最小删除单位是一页。即使一页只写10字节以下的数据，也必须先清除页面(2*1024字节)。这里使用逐页清除。固件库中的逐页删除功能如下：

flash _ status flash _ erase page(uint 32 _ tpage _ address)；返回值为枚举。

(3)向上一级成功的页面写入数据写入

STM32闪存编程一次要写16位。固件库具有三种写入功能：

分别用字母(32位)、半角(16位)和字节(8位)编写函数。32位写实际上是记录了两次的16位数据，写完了第一个后置地址2，这与前面描述的STM32闪存编程每次都要写16位不矛盾。写8位也是实际占用的两个地址。和用16位几乎没有区别。

(4)写操作完成后执行锁定操作

要在写入闪存操作完成后执行锁定操作，相应的固件库函数如下：

void FLASH _ Lock(void)；(5)读取数据

固件库没有用于读取操作的函数。读取操作实际上是读取闪存地址的数据。

(6)比较记录的数据和读取的数据是否相同。

最后，比较我们写的数据和读的数据是否完全匹配，如果匹配，读写测试是否成功，否则是否失败。

程序运行结果：

如所示，读取的数据与写入的数据相匹配，表明读取和写入测试成功。

最后，

STM32的内部闪存读写步骤大致如上，有时需要封装读写函数，但大多数步骤如上。写入数据之前，必须执行删除操作。以上是本次笔记本分享。如果有错误，请指出来！